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NXP Semiconductors
MMBZxAL series
Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
I RM
10 3
(1)
006aab841
(nA)
10 2
10
(2)
1
10 ? 1
(3)
10 ? 2
(4)
10 ? 3
10 ? 4
? 75
? 25
25
75
125
T amb ( ° C)
175
(1) MMBZ5V6AL: V RWM = 3 V
(2) MMBZ6V8AL: V RWM = 4.5 V
(3) MMBZ9V1AL: V RWM = 6 V
(4) MMBZ27VAL: V RWM = 22 V
Fig 7.
Reverse leakage current as a function of ambient temperature; typical values
I
I PPM
I PP
? V CL ? V BR ? V RWM
? I RM
? I R
V
? V CL ? V BR ? V RWM
I R
I RM
? I RM
? I R
V RWM V BR V CL
?
+
P-N
?
+
? I PP
? I PPM
006aab324
? I PP
? I PPM
006aab325
Fig 8.
V-I characteristics for a unidirectional
Fig 9.
V-I characteristics for a bidirectional
ESD protection diode
MMBZXAL_SER_2
ESD protection diode
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 10 December 2009
11 of 17
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